Struktur und Eigenschaften von Cd4SiS6 Zur Kenntnis von Cd4SiSe6
- 1 March 1972
- journal article
- research article
- Published by Wiley in Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie
- Vol. 388 (3) , 193-206
- https://doi.org/10.1002/zaac.19723880302
Abstract
Die Struktur des monoklin in der Raumgruppe Cc mit a = 12,310, b = 7,041, c = 12,336 Å, β = 110,38°, Z = 4 kristallisierenden Cd4SiS6 wurde durch eine Röntgenstrukturanalyse aufgeklärt. Diesem neuen Defekt‐Tetraeder‐Strukturtyp gehören auch Cd1GeS6, Hg4SiS6, Hg4GeS6 und Cd4GeSe6 an. In der Struktur sind SiS4‐ und verzerrte CdS4‐Tetraeder (Si–S 2,101–2,132 Å, Cd–S 2,510–2,694 Å) über alle vier Polyederecken dreidimensional verknüpft, so daß 2/3 der S‐Atome einseitig mit 2 Cd + 1 Si, die restlichen tetraedrisch mit 4 Cd verbunden sind. Die Packung der S‐Atome ist stark verzerrt; die Struktur hat wenig Ähnlichkeiten mit bekannten Tetraeder‐Strukturtypen. Analog zu den GeS‐ und SnS‐Bindungen in Thiogermanaten bzw. Thiostannaten enthält die SiS‐Bindung nur sehr geringe „‐Anteile. Die Schwingungsspektren von Cd4SiS6 werden angegeben und diskutiert.Tiefrotes, mit Cd4SiS6 isotypes Cd4SiS6 wurde aus CdSe, Si und Se bei 800–1000°C dargestellt.Keywords
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