Propriétés photoconductrices des couches minces de sélénium amorphe

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Abstract
L'étude systématique, en fonction de différents paramètres (longueur d'onde, intensité lumineuse, champ électrique et température), de la photoconduction dans les couches minces de sélénium amorphe nous a permis de montrer que les films sont composés en majeure partie d'anneaux Ses, qu'aux basses températures les états qui gouvernent la mobilité commandent la photoconduction. A T = 290 K et pour les champs élevés la photoconduction est assistée par le champ. Enfin l'application des théories de Davis [15] nous a permis de déterminer la largeur de la bande interdite, Eg = 2,238 eV