Untersuchung atomarer Fehlstellen in verformtem Kupfer mit Hilfe des elektrischen Widerstandes

Abstract
Das Erholungsverhalten des elektrischen Widerstandes von plastisch verformtem Kupfer (Reinheitsgrade: 99,99%, 99,999%) wird im Temperaturgebiet zwischen ‐40 und 250 °C untersucht.In diesem Temperaturgebiet werden drei Erholungsprozesse beobachtet. Die erste Erholungsstufe (Stufe III, Aktivierungsenergie (0,64 ± 0,04) eV) wird auf die Rekombination von Zwischengitteratomen mit den (beim Verformen in etwa gleicher Konzentration entstandenen) Leerstellen zurückgeführt. Die daran anschließende Stufe IV (Aktivierungsenergie (1,05 ± 0,05) eV) wird, auf Grund der Übereinstimmung ihrer Aktivierungsenergie mit der nach Abschrecken in diesem Temperaturgebiet gefundenen, dem Ausheilen einzelner Leerstellen zugeschrieben. Bei der dritten der beobachteten Erholungsstufen handelt es sich um die wohlbekannte Stufe V.