Trägerbeweglichkeit in verformtem Germanium

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Abstract
Die Hallbeweglichkeit schwach dotierter Germaniumeinkristalle wurde vor und nach plastischer Verformung zwischen 50 und 250 °K gemessen. Die streuenden Verformungszentren wurden als Versetzungen identifiziert, die durch ihre Ladung und ihr Verschiebungsfeld die Beweglichkeit freier Löcher beeinflussen. Zur Bestimmung der Ladung der Versetzung wurde das Modell des Versetzungsbandes herangezogen. Die Ergebnisse der Beweglichkeitsmessung wurden unter der Annahme analysiert, daß freie Löcher bzw. ionisierte Fremdatome die Versetzungsladung abschirmen.