Étude des défauts ponctuels dans le niobium

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Abstract
Un niobium de très haute pureté a été élaboré par fusion de zone puis recuit sous ultra-vide. La pureté a été contrôlée par des mesures de résistivité à 4 °K et par des analyses par activation (Rumb/R 4 °K = 2 000 ; 0 < 1 ppm, C < 1 ppm . Ce niobium a été irradié avec des électrons à très basse température, une étude du revenu de la résistivité a été entreprise dans le but de préciser un modèle décrivant les processus d'annihilation et d'agglomération des défauts créés par irradiation. Une étude comparative avec d'autres métaux cubiques centrés (Fe, Mo) conduit à accepter l'hypothèse d'un interstitiel intrinsèque migrant à basse température. Elle permet de rejeter l'hypothèse d'un second interstitiel intrinsèque migrant à une température plus élevée. L'étude des interactions des défauts intrinsèques avec les impuretés a été faite sous deux aspects : premièrement modification des processus d'annihilation et d'agglomération des défauts ; deuxièmement piégeage des impuretés par les défauts

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