Zum Streumechanismus von Stromträgern in Tellur‐dotiertem Galliumphosphid

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Abstract
Es wurde die Beweglichkeit der Stomträger in Tellurdotierten GaP‐Einkristallen untersucht. Aus der Temperaturabhängigkeit des Hallkoeffizienten wurde die Ionisierungsenergie des Donatorniveaus zu etwa 0,11 eV bestimmt. Eine Analyse der möglichen Streumechanismen zeigt, daß die Streuung an polaren optischen Gitterschwingungen der dominierende Streumechanismus für die Elektronen ist. Die Beweglichkeit, die unter Berücksichtigung dieses Streumechanismus berechnet wurde, stimmt in der Größenordnung und in der Temperaturabhängigkeit gut mit den experimentellen Ergebnissen überein. Ein anderer wichtiger Streumechanismus ist wahrscheinlich bei tiefen Temperaturen die Streuung an neutralen Störstellen und an Raumladungsgebieten.

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