Étude des niveaux de 28Si et 32S au moyen de la réaction (3He, d) à 8 MeV

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Abstract
L'étude des distributions angulaires des deutons émis dans les réactions 27Al(3He, d) 2 8Si et 31P(3He, d) 3 2S à 8 MeV a permis de vérifier que ces réactions ont lieu essentiellement par un mécanisme de stripping. L'analyse de ces distributions par la méthode des ondes distordues a permis de déterminer les facteurs spectroscopiques. Un accord très acceptable est obtenu entre les résultats expérimentaux et des calculs de modèle en couches avec interaction résiduelle

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