Anregung und Dissoziation von Molekülen beim Elektronenbeschuß

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Abstract
Die beim Elektronenbeschuß von N2, Butan, cis-2-Buten, 1,3-Butadien und Hexan entstehenden neutralen Fragmente wurden ionisiert und massenspektrometrisch nachgewiesen, wobei zwischen Bildung und Nachweis weder Wandstöße noch Stöße mit anderen Molekülen stattfanden. Die Bildungswahrscheinlichkeit der Fragmente als Funktion der Energie, von der Schwellenenergie (DP) bis 100 eV, wird angegeben. DP für N aus N2 ist (9,6 ± 0,5) eV, d. h. für die Dissoziation an der Schwelle ist der Prozeß N2→N2*→2 N (4S) verantwortlich. Die DP-Werte für Fragmente aus Butan und Hexan genügen der Beziehung: DP=E1+D*, wobei E1 die Energie des 1. Elektronenniveaus und D* die jeweilige Bindungsenergie in diesem Zustand (E1 ≈ 8 eV) ist. Die DP-Werte von cis-2-Buten und 1,3-Butadien liegen tiefer und genügen der gleichen Beziehung mit E1=2 -4 e V. Das Verhältnis (γ) von neutralen Zerfällen zur Ionenbildung liegt bei allen untersuchten Substanzen in der Nähe von 1. Der größte Teil der neutralen Zerfälle erfolgt durch Anregung von „superexcited states“. Der Nachweis von innerer Anregung durch Messung eines erniedrigten Ionisierungspotentials gelang nur bei dem Bruchstück H2.

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