Schwankungserscheinungen bei der Ausbildung von Stoßionisationslawinen in Ge-Einkristallen zwischen 5° und 10° K

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Abstract
Bei den in Ge-Einkristallen bei tiefen Temperaturen beobachteten Durchschlagsvorgängen ist mit der Leitfähigkeitszunahme ein Anstieg des Rauschens um einige Zehnerpotenzen verknüpft. Aus der Frequenzabhängigkeit ist ersichtlich, daß es sich um ein Rekombinationsrauschen handelt. Aus seiner Zunahme wird direkt eine Trägervermehrung erschlossen, die bereits im Vordurchschlagsgebiet einsetzt. Der elektrische Durchschlag und die thermische Widerstandsabnahme können durch Rauschmessungen gegeneinander abgegrenzt werden.

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