Über Oxidsysteme mit Übergangsmetallionen in verschiedenen Oxydationsstufen. X. Elektronische und infrarotspektroskopische Untersuchungen am System Zn(Zn_xV_2−x)O₄

Im Spinellsystem \documentclass{article}\pagestyle{empty}${\rm Zn}({\rm Zn}_{\rm x} \mathop {\rm V}\limits^{ + 3} _{2 - 2{\rm x}} \mathop {\rm V}\limits^{ + 4} _{\rm x}){\rm O}_4 (0 \le {\rm x} \le 0,50)$ führt die definierte Änderung des V³⁺/V⁴⁺‐Verhältnisses auf den Oktaederplätzen zu kontrollierter Valenzhalbleitung. Die oberhalb x = 0,18 röntgenographisch beobachtete Tieftemperaturphase mit geordneter Verteilung der Ionen auf den Oktaederplätzen hat einen höheren spezifischen Widerstand als die ungeordnete Hochtemperaturphase. Einen voneinander abweichenden Verlauf zeigen auch die Aktivierungsenergien für die Hoch‐ und Tieftemperaturphase im Bereich x > 0,15. Im gesamten Mischkristall‐System liegt p‐Leitung vor, für x > 0,03 ist die gemessene Thermokraft schwach temperaturabhängig. Die IR‐Spektren der beiden Phasen unterscheiden sich in Anzahl und Lage der Banden zwischen 1000 und 200 cm⁻¹ nicht voneinander.