Homojonction CdTe par croissance épitaxique en phase vapeur

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Abstract
Nous sommes engagés dans un programme orienté vers la préparation et l'étude des propriétés de cellules solaires à largeur de bande interdite variable CdTe-CdxHg1-xTe. On sait qu'un gradient de bande interdite a pour double effet d'une part de contribuer à la tension de sortie du générateur (tension photovoltaïque de volume) et d'autre part de réduire les recombinaisons de surface et en volume par accroissement des longueurs de diffusion des porteurs minoritaires sous l'effet d'un quasi-champ électrique interne. Une partie du programme concerne la croissance épitaxique de CdTe par la méthode de transport en phase vapeur à courte distance. Les films déposés sur un substrat monocristallin de CdTe sont toujours polycristallins et sont orientés par épitaxie. La taille des grains est influencée par l'état de surface (après attaque chimique et thermique) et la température du substrat (500 °C à 600 °C) ; elle dépend également de la procédure de croissance ainsi que de sa vitesse (la vitesse moyenne étant de 1,5 micron/minute pour un gradient de température de 50 °C/min.) ; des couches de type p ont été déposées, en utilisant une source en CdTe dopé à l'arsenic, sur des substrats monocristallins de CdTe de type n, dopé à l'indium et de faible résistivité. Nous décrirons et discuterons les résultats préliminaires obtenus avec des homojonctions CdTe avec un effort pour dégager l'influence des paramètres de base du matériau sur les caractéristiques des photopiles solaires. Exemple des résultats expérimentaux : Voc = 0,62 V, Jcc = 12 mA/cm2, η = 3,25 %