Mobilité électronique dans les verres semi-conducteurs à base de V 2O5
- 1 January 1977
- journal article
- Published by EDP Sciences in Revue de Physique Appliquée
- Vol. 12 (5) , 715-719
- https://doi.org/10.1051/rphysap:01977001205071500
Abstract
Les verres à base de V2O5 sont des semi-conducteurs à faible mobilité. Les porteurs de charge sont de petits polarons se déplaçant par sauts entre des sites V4+ et V5+. La mobilité de ces polarons est étudiée par Résonance Paramagnétique Electronique en fonction de la structure et de la composition du verre. On montre que cette mobilité est beaucoup plus faible dans l'oxyde amorphe que dans l'oxyde cristallisé (localisation d'Anderson) et qu'elle peut être modifiée par l'addition en faible quantité d'oxydes étrangers. Selon la position qu'occupe l'impureté dans le réseau vitreux, la mobilité peut être augmentée (Li, Na, Cu) ou diminuée (P2O5). Tous les verres étudiés sont obtenus par hypertrempe de l'anhydride vanadique fonduKeywords
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