Niveaux profonds associés aux dislocations « 60° » dans les semiconducteurs de structure sphalérite
- 1 January 1980
- journal article
- Published by EDP Sciences in Revue de Physique Appliquée
- Vol. 15 (1) , 33-36
- https://doi.org/10.1051/rphysap:0198000150103300
Abstract
Les niveaux extrinsèques associés aux dislocations « 60° » des semiconducteurs ioniques dépendent de façon critique de la variation du terme de Madelung au coeur de la dislocation. On montre que celle-ci provient essentiellement du retrait d'un demi-plan atomique et non de la distorsion introduite par le champ de déformation. Le calcul conduit à l'existence de niveaux profonds associés aux deux types de dislocations « 60° » des structures sphaléritesKeywords
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