Niveaux d'impureté dans les cristaux (modèle hydrogénoïde)
- 1 January 1956
- journal article
- Published by EDP Sciences in Journal de Physique et le Radium
- Vol. 17 (1) , 16-20
- https://doi.org/10.1051/jphysrad:0195600170101600
Abstract
On étudie l'influence de l'anisotropie du cristal et de la variation de la constante diélectrique avec la fréquence sur le modèle de Bethe des niveaux localisés (électrons gravitant autour d'une charge + ε). L'orbite de l'électron est alors ellipsoïdale. L'anisotropie du cristal intervient surtout par la différence des masses effectives des électrons dans les diverses directions ; les orbites deviennent fortement excentriques pour des valeurs peu différentes de 1 du rapport de ces masses ; mais il faut qu'il atteigne plusieurs unités pour provoquer un déplacement important du niveau d'énergie. On donne des courbes permettant de calculer ce niveau. Pour traiter le cas des cristaux ioniques, il suffit d'introduire, au lieu de la constante diélectrique K du cristal, une constante diélectrique effective Ke dont l'expression est une combinaison très simple de K et Ko = n2This publication has 4 references indexed in Scilit:
- The resistance of an elliptic plateBritish Journal of Applied Physics, 1955
- Theory of Donor and Acceptor States in Silicon and GermaniumPhysical Review B, 1954
- Energy of Trapped Electrons in Ionic SolidsPhysical Review B, 1953
- The Structure of Electronic Excitation Levels in Insulating CrystalsPhysical Review B, 1937