位错心线性膨胀模型的正电子湮没特性
- 1 May 1987
- journal article
- Published by Science China Press., Co. Ltd. in Chinese Science Bulletin
- Vol. 32 (9) , 661-664
- https://doi.org/10.1360/csb1987-32-9-661
Abstract
一、导言 Arponen等提出的位错模型(以下简称A-模型)相当好地和变形Al的正电子(e~+)湮没实验结果符合,但用空心柱孔模型(以下简称C-模型)也能够给出同样好的结果. 这说明位错e~+湮没效应的主要贡献来源于位错中心区域,凡是主要考虑位错心的模型均能给出接近实验的结果. 然而,C-模型描述位错心过于简化,例如它的离子密度分布在柱孔边界上发生突This publication has 0 references indexed in Scilit: