Présentation et validation du programme OSIRIS de simulation bidimensionnelle des processus technologiques

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Abstract
Nous présentons le programme bidimensionnel de simulation des processus technologiques, OSIRIS. Les modèles utilisés pour l'implantation ionique, la croissance d'oxyde et la redistribution des dopants sont d'abord développés. Nous décrivons d'autre part la méthode de résolution de l'équation de diffusion par différences finies. Pour terminer, une comparaison est faite entre des profils de bore obtenus par simulation et des profils expérimentaux à deux dimensions mesurés par EBIC

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