Determination of ultra trace uranium and thorium in high purity aluminium by NAA.

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Abstract
半導体構成材料中に含まれるU,Th及びその娘核種から放出されるα粒子によって,半導体メモリーの蓄積データが反転する,いわゆるソフトエラーの問題が指摘されて以来,その対策の検討が行われている.この中で,材料の精製技術の発展に伴い,極微量U,Th及びα放射体の分析法の確立が強く要求されている. 現在,これらの分析法の中でも高感度分析法として知られているNAAでさえ,非破壊法(INAA)では目的核種以外の核種からの生成放射能の影響で,0.n ppb程度までしか定量が行えない.本研究では,検出限界を下げるために,中性子放射化後,イオン交換分離操作を行い,U及びThからの生成核種である239Np及び233Paを選択的に分離し,その後γ線測定する方法で数十pptレベルまでのU,Thを定量する方法(RNAA)を開発したので報告する.

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