Abstract
Die experimentellen Ergebnisse zweier vorangegangener Arbeiten werden zu einem möglichst geschlossenen, quantitativen Bild des Fließbereichs n‐bestrahlter Cu‐Einkristalle ausgewertet. Eine nähere Untersuchung verschiedener Parameter, insbesondere der Fehlerdichte NZ, ermöglicht die Bestimmung der Aktivierungsenergie U0, die sich für den Potentialverlauf nach Seeger zu 2,6 eV für nichtangelassene Kristalle (2 × 1018 nvt) bei Zimmertemperatur ergibt. Mit dem Anlassen nimmt U0 langsam zu, bei unseren Experimenten auf etwa 3 eV. Für stärker angelassene Proben ist dabei von einer in Teil I angegebenen Formel auszugehen, die im einzelnen begründet wird. Folgerungen über den Potentialanstieg der Gleithindernisse werden gezogen, und der Temperaturgang der Aktivierungsenergie wird diskutiert.Im Anhang werden verschiedene Potentialansätze aufgeführt und eine erweiterte Beziehung zwischen Versetzungsbogenlänge und wirkender Spannung abgeleitet.