Optische Bestimmung der Temperaturabhängigkeit des Bandabstandes von Halbleitern des Typus AIIIBV

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Abstract
Durch Messungen der Lage der Absorptionskante von Halbleitern bei verschiedenen Temperaturen läßt sich die Temperaturfunktion des Bandabstandes ΔE bestimmen. Vorliegende Untersuchungen an einigen Halbleitern des Typus AIIIBv ergaben im Temperaturbereich 100° K < T < 500° K für ΔE (in eV) folgende Werte: