CORRELATION ENTRE CONTRASTES EN EBIC ET STRUCTURE CRISTALLOGRAPHIQUE DES JOINTS DE GRAINS DANS LE SILICIUM
- 1 October 1982
- journal article
- Published by EDP Sciences in Le Journal de Physique Colloques
- Vol. 43 (C1) , C1-75
- https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982111
Abstract
Afin d'établir des relations entre l'activité électrique et la structure cristalline des joints de grains dans le silicium, des échantillons polycristallins et bicristallins ont été observés en MEB en mode induit (EBIC) et en MET à basse (120KeV) et haute tension (2MeV). La plupart des joints de grains étudiés donnent lieu à un fort contraste en EBIC. Cependant, parmi ceux observés, un certain nombre présente un contraste en EBIC faible ou nul auquel nous associons une très faible activité électrique. Ces joints ont tous été caractérisés comme des joints cohérents. Leurs relations de désorientation intergranulaire sont de coïncidence et leurs interfaces correspondent aux plans de symétrie associés à ces relations de coïncidence. Ces observations ont été faites pour des joints de coïncidence Σ9 et Σ25Keywords
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