Propriétés optiques des semiconducteurs dégénérés

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Abstract
Une revue des études théoriques est d'abord effectuée concernant l'effet d'une forte concentration d'impuretés sur la position des niveaux d'énergie correspondants. Les résultats essentiels sont les suivants : il y a confusion des niveaux d'impuretés avec les bandes permises du semiconducteur et rétrécissement de la distance séparant la bande de valence de la bande de conduction. De plus les théories montrent que la distribution aléatoire des impuretés entraîne l'existence d'une queue d'états d'énergie dans la bande interdite. On met d'autre part en évidence la faible variation théorique de la masse effective de densité d'états. L'examen des résultats expérimentaux relatifs aux propriétés optiques des semiconducteurs fortement dopés, qui est ensuite présenté, montre l'accord au moins qualitatif avec ces résultats théoriques