Dispositif utilisant la transmission hyperfréquence pour mesurer la durée de vie des porteurs injectés dans un échantillon semi-conducteur à basse température. Application à la diode pin
- 1 January 1971
- journal article
- Published by EDP Sciences in Revue de Physique Appliquée
- Vol. 6 (1) , 1-4
- https://doi.org/10.1051/rphysap:01971006010100
Abstract
Nous présentons un ensemble expérimental destiné à l'étude de processus de recombinaison des porteurs injectés dans un matériau semiconducteur : il utilise l'absorption d'une onde électromagnétique hyperfréquence par les porteurs libres. Ce dispositif, actuellement appliqué à l'étude de la recombinaison des porteurs injectés dans la zone intermédiaire de structures PIN permet des mesures de durées de vie égales ou supérieures à 4 x 10- 9 s la température étant supérieure à 4 °KKeywords
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- CHARACTERISTICS OF FORWARD-BIASED LONG SILICON P+PN+ STRUCTURES AT LOW TEMPERATUREApplied Physics Letters, 1970
- Recombination oscillations in semiconductors with double-carrier injectionSolid-State Electronics, 1970
- Use of microwave techniques for measuring carrier lifetime and mobility in semiconductorsSolid-State Electronics, 1969