Influence des défauts sur la canalisation d'ions de phosphore dans le silicium

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Abstract
L'article concerne les effets dopants produits par des ions de phosphore de 20 keV bombardant une cible en silicium suivant la direction de facile canalisation . Après une description succincte du canon à ions et des moyens de mesures des profils implantés (électriques et radioactives), on compare les résultats à la théorie de Lindhard, mettant en évidence l'effet de la structure cristalline sur la répartition des impuretés. On porte une attention particulière à la nature des défauts créés en fonction de la profondeur dans le matériau. En mesurant leurs températures et cinétiques de recuit, on peut, par comparaison aux défauts classiques dans le silicium irradié de type n, déterminer leur structure et leur composition. De plus, on montre que ces défauts jouent un rôle important sur la décanalisation des ions incidents et la diffusion accélérée des impuretés. On détermine ainsi l'influence de la température et on montre, à titre d'exemple, les caractéristiques électriques de diodes implantées à diverses températures