Croissance épitaxique de composés semiconducteurs par évaporation-diffusion en régime isotherme

Open Access
Publisher Website
Google Scholar
Abstract
On présente un nouveau procédé permettant de réaliser l'épitaxie de composés semiconducteurs tels HgTe, GeTe, GaSb, ... en régime isotherme, presque à l'équilibre thermodynamique. Des couches monocristallines d'épaisseur 1 à 200 µ ont été obtenues. Le phénomène de transport consiste en une évaporation de matière de la source au substrat, couplée à une diffusion dans le substrat des atomes transférés. Les paramètres de préparation étudiés sont la distance de la source au substrat, la durée et la température du traitement. La variation de l'épaisseur du dépôt avec la température fait apparaître, aux hautes températures, une énergie d'activation de 29 kc/mole en bon accord avec les prévisions théoriques

This publication has 2 references indexed in Scilit: