Es wird der Einfluß der Elektronenbahn-Quantisierung auf die Fermische Grenzenergie ξ von Störstellen-Halbleitern sowohl mit als auch ohne Berücksichtigung der Term-Aufspaltung von Donatoren- bzw. Akzeptoren-Niveaus untersucht. Für einen einfachen Überschuß-Halbleiter mit diskretem Donatoren-Niveau, dessen Daten etwa denjenigen von reinem n-Germanium entsprechen, wird die FERMische Grenzenergie und die Konzentration der Elektronen im L-Band als Funktion der magnetischen Feldstärke H und der Temperatur T berechnet. Die Feldstärkeabhängigkeit der Elektronen-Konzentration bei tiefen Temperaturen und schwachen Feldern wird explizit angegeben. Die Übertragung der Ergebnisse auf Lochelektronen-Halbleiter liefert im Falle des p-InSb (scheinbare Lochelektronenmasse ) auch bei Berücksichtigung der Termaufspaltung der Akzeptoren-Niveaus gemäß einem Landé-Faktor g=1 eine positive magnetische Widerstandsänderung bei 4° K.