Eigenschaften und Strukturen reduzierter Galliumiodide: Ga2I4 und Ga2I3

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Abstract
Die Verbindungen Ga2I4 und Ga2I3 wurden durch Reaktionen der Elemente in verschmolzenen Glasampullen in Form kleiner Einkristalle dargestellt. Thermische Eigenschaften, schwingungsspektroskopisches Verhalten und Strukturen wurden untersucht. Insbesondere wurde sichergestellt, daß Ga2I3 das metallreichste Galliumiodid im System Ga/I2 ist; Ga2I3 ist mit dem früher beschriebenen „GaI”︁ identisch. Ga2I4 kristallisiert rhomboedrisch in der Raumgruppe R3c mit a = 2521,5(2) und c = 783,9(1) pm. Der Aufbau entspricht erwartungsgemäß der Formel Ga+(GaI4)−. Auffallendes Strukturmerkmal sind röhrenförmige Anordnungen der GaI4‐Tetraeder, die über van‐der‐Waals‐Bindungen mit benachbarten Röhren zusammenhängen und die Ga+‐Ionen im Inneren enthalten. Dieser Aufbau resultiert aus einer innerhalb der Röhren dichtesten Anordnung der I‐Atome der GaI4‐Anionen. Die Lücken dieser Anordnung sind durch Ga+‐Ionen besetzt und lassen den Einfluß des nichtbindenden Elektronenpaars am Ga+‐Ion erkennen. – Ga2I3 kristallisiert monoklin in der Raumgruppe P21/c mit a = 1 129,4(3); b = 871,5(1), c = 1 345,3(4) pm; β = 145,6(1)° und ist als (Ga+)2(Ga2I6)2− zu formulieren. Das mit Si2I6 isoelektronische (und isostrukturelle) Anion liegt in der gestaffelten Konformation vor; der Ga–Ga‐Abstand beträgt 238,7(5) pm. Die Koordination von Ga+ entspricht weitgehend der in Ga2I4.

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