Composés métalliques de nickel et gallium sur GaAs par codéposition en ultravide

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Abstract
Nous avons étudié la codéposition de couches minces de nickel et de gallium sur des substrats de GaAs (001) et GaAs (111) dans la perspective d'une épitaxie d'un composé métallique, si possible thermodynamiquement stable. Les codépôts ont été réalisés à température ambiante dans un bâti d'épitaxie par jets moléculaires équipé d'un canon à électrons pour l'évaporation du nickel. Quatre techniques ont été mises en oeuvre pour contrôler la composition ; deux ex situ : la rétrodiffusion d'ions He+ de 2 MeV (RBS), qui nous a servi de référence, et l'analyse X dans un microscope électronique à balayage ; et deux in situ : les spectroscopies de photo-émission électronique X et UV (XPS et UPS). En UPS nous avons utilisé d'une part l'évolution de la forme de la bande de valence en fonction de la composition, d'autre part le déplacement chimique du doublet Ga3d par rapport au niveau de Fermi dû au transfert de charge entre Ni et Ga. Les couches déposées ont été caractérisées par diffraction X sur goniomètre à poudre θ-2θ équipé d'un monochromateur arrière. Les caractérisations électriques ( R□) et par canalisation d'ions He+ (χ min) montrent que la résistivité est minimale et la canalisation maximale pour les couches les mieux texturées, correspondant aux composés définis NiGa et Ni2Ga3. Ces composés ont des conductivités du même ordre de grandeur que les siliciures de métaux de transition

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