Le silicium polycristallin Polix : élaboration, propriétés et performances
- 1 January 1987
- journal article
- Published by EDP Sciences in Revue de Physique Appliquée
- Vol. 22 (7) , 535-547
- https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207053500
Abstract
Les lingots de silicium polycristallin sont préparés par solidification unidirectionnelle, l'originalité de la méthode est due à l'utilisation d'un encapsulant qui agit comme une barrière entre le creuset et le bain liquide. L'analyse de la morphologie et des caractéristiques structurales, ainsi que l'analyse chimique ont permis de suivre l'influence des différents paramètres sur les propriétés photovoltaïques des cellules solaires. Leur optimisation a donné des rendements photovoltaïques de 11 %. Les conditions d'utilisation de silicium de qualité moindre sont définiesKeywords
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- Conductance of silicon grain boundaries in as-grown and annealed bicrystalsJournal of Applied Physics, 1987
- A New Defect Etch for Polycrystalline SiliconJournal of the Electrochemical Society, 1984
- Solar-grade siliconJournal of Materials Science, 1982
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