Zur Richtungsabhängigkeit der Sekundärelektronenausbeute von Kupfereinkristallen bei Ionenbeschuß

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Abstract
Es wird über Messungen der Sekundärelektronenausbeute an einem Cu‐Einkristall bei Beschuß mit H und Edelgasionen von 17,5 bis 35 keV berichtet. Die Ausbeute hängt vom Einfallswinkel des Ionenstrahles gegen die Probenoberfläche und von seiner Orientierung gegen das Kristallgitter ab. Der Einfluß des Einfallswinkels ist uru so größer, je größer die Reichweite der Ionen ist. Der Einfluß der Gitterstruktur wächst mit der Ionen‐masse.