Dünne Fluoridschichten werden im Hochvakuum unter definierten Bedingungen (variable Parameter: Schichtdicke, Art der Unterlage, Temperatur der Unterlage, Bedampfungsrichtung) auf verschiedene Unterlagen aufgedampft und elektronenmikroskopisch (nach dem Abdruckverfahren und in Durchstrahlung) und mit Elektronenbeugung (in Reflexion und Durchstrahlung) untersucht. Nach eingehender Diskussion der Herstellungsbedingungen und der Untersuchungsmethodik werden die wichtigsten allgemeinen Ergebnisse mitgeteilt. Sie bringen u. a. eine Einteilung des Schichtwachstums in Anfangs-, Übergangs und Endwachstum. Einzelergebnisse werden im wesentlichen nur für das Anfangswachstum auf nichteinkristallinen Unterlagen sowie für das übergangswachstum mitgeteilt. Zur Deutung der Ergebnisse wird, ausgehend von der Theorie des Kristallwachstums, ein Wachstumsmodell entwickelt, das insbesondere die Orientierungserscheinungen verständlich macht, die nach ihm in keimbildungs- und keimwachstumsbedingte Orientierungen einzuteilen sind. Die Beobachtungen lassen sich durch das Modell zum gröβten Teil deuten.