Bildung siliciumorganischer Verbindungen. III. Mitt.: Zum thermischen Zerfall von SiH4
Open Access
- 1 October 1952
- journal article
- Published by Walter de Gruyter GmbH in Zeitschrift für Naturforschung B
- Vol. 7 (9-10) , 507-508
- https://doi.org/10.1515/znb-1952-9-1004
Abstract
Es wird gezeigt, daß der thermische Zerfall von SiH4 bei 470-500° C Si2,H6 liefert, wenn die Zersetzungsprodukte die Reaktionszone schnell verlassen und abgeschreckt werden. Die thermische Bildung von Si2H6 aus SiH4 beweist das Auftreten von SiH3-Radikalen beim Zerfall von SiH4, womit die bei der pyrochemischen Bildung siliciumorganischer Verbindungen aus SiH4 und Äthylen bzw. Vinylchlorid angenommene Grundreaktion, nämlich die primäre Bildung von SiH3-Radikalen und Η-Atomen sichergestellt ist.This publication has 0 references indexed in Scilit: