Magnétorésistance anormale par effet de surface dans les semiconducteurs. Réponse en fréquence et durée de vie effective des porteurs

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Abstract
En développant la théorie du phénomène de magnétoconcentration nous prévoyons qu'un barreau semiconducteur en régime continu présente, par effet de surface, une magnétorésistance anormale aussi bien négative que positive. Nous mettons en évidence expérimentalement cette propriété. La perturbation de la conduction due à cet effet peut s'avérer tellement forte qu'elle provoque plusieurs phénomènes inhabituels (retards, comportements réactifs, etc.). L'analyse expérimentale et théorique en régime harmonique des effets de relaxation, nous a permis de détailler l'origine physique et la grandeur de comportements selfiques ou capacitifs, directement liés à la durée de vie effective des porteurs ; nous avons ainsi été amenés à dissocier les effets de surface et de volume dans le processus de recombinaison englobant l'ensemble des porteurs. Nous indiquons une méthode de mesure des paramètres caractéristiques (τ, τv, s...)