Génération de second-harmonique dans les puits quantiques asymetriques GaAs-AlGaAs

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Abstract
Nous avons étudié la génération résonante de second-harmonique dans l'infrarouge moyen dans des structures semiconductrices à base de puits quantiques asymétriques composés de barrières en AlxGal-xAs, d'un puits en GaAs, et d'une semi-barrière en AlyGal-yAs avec y < x. Les énergies des niveaux intrabande et les fonctions d'onde associées sont évalués par résolution couplée des équations de Schr$ddot{ m o}$dinger et de Poisson. Le modèle local de génération de second-harmonique est basé sur un traitement non perturbatif par la matrice densité. Ce modèle conduit à des valeurs record de la susceptibilité non linéaire associée à la génération de second-harmonique de l'ordre de 3,6 ×10-7 m/V, soit 950 fois la valeur correspondante dans GaAs massif. Le rendement de conversion d'un convertisseur harmonique à puits quantique asymétrique a été simulé à l'aide d'un modèle de propagation prenant en compte les effets de dispersion intrinsèque du matériau ainsi que les effets de dispersion induits par l'intensité des champs. Des rendements de conversion supérieurs à 6 % pour une intensité de pompage de 10 MW/cm2 sont envisageables

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