Zur Epitaxie von Galliumnitrid auf nichtstöchiometrischem Spinell im System GaCl/NH3/He
- 1 January 1975
- journal article
- research article
- Published by Wiley in Crystal Research and Technology
- Vol. 10 (7) , 747-758
- https://doi.org/10.1002/crat.19750100708
Abstract
Kristallperfektion und Orientierungsbeziehungen von GaN‐Epitaxieschichten auf {111}‐und {100}‐orientierten Spinellsubstraten, hergestellt durch Reaktion von GaCl und NH3 in He als Trägergas, wurden mit der RHEED‐Technik untersucht. Die gefundenen Orientierungsbeziehungen sind: equation image Die beste Kristallperfektion wird bei Züchtungstemperaturen zwischen 1000…︁1050°C erhalten sowie bei Wachstumsraten, die größer als 1 μm/min sind. Für schnelles Wachstum ist die Wachstumsrichtung 〈1011〉 besser geeignet als die Richtung 〈0001〉.Keywords
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- On the thermal decomposition of GaN in vacuumPhysica Status Solidi (a), 1974
- Thermal expansion of GaNPhysica Status Solidi (a), 1974
- Growth and morphology of GaNJournal of Crystal Growth, 1974
- Crystal Growth and Characterization of Gallium NitrideJournal of the Electrochemical Society, 1974
- Ätzuntersuchungen an VerneuilspinellenCrystal Research and Technology, 1972
- Absorption, Reflectance, and Luminescence of GaN Epitaxial LayersPhysical Review B, 1971
- Gallium Nitride FilmsJournal of the Electrochemical Society, 1971
- Gallium nitride formed by vapour deposition and by conversion from gallium arsenideJournal of Materials Science, 1970
- Epitaxial Growth and Properties of Silicon on Alumina-Rich Single-Crystal SpinelJournal of the Electrochemical Society, 1969
- Epitaxial Growth of Germanium on Single Crystal SpinelJournal of the Electrochemical Society, 1967