Thin films-preparation, structure and properties. Preparation of .BETA.-ZrClN films by plasma CVD.

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Abstract
ZrCi4蒸気とN2およびNH3を用いて,RFプラズマCVD法によるβ-ZrCIN薄膜の合成を行なった。ZrCl4-N2系では膜の生成は認められず,ZrCl4-NH3系ではZr欠損のZrNが生成した。ZrCl4N2-NH3系において,ガス混合比NH3/N2=1/5で反応を行なうと,基板温度400～600℃ で黄色のα-ZrCINが生成し,これをN2気流中630℃で熱処理すると,淡黄緑色のβ-ZrCINが得られた。膜の光透過性は良好で,走査型電子顕微鏡観察によると,β-ZrCINの微細な板状結晶が基板に垂直に成長していた。α-ZrCIN膜をNH,気流中で熱処理すると,膜より塩素が除かれ,非晶質のZr-N膜が生成した。β-ZrCIN膜だけでなく,非晶質Zr-N膜にもリチウムがインターカレーションすることを見いだし,二つの膜のエレクトロクロミック特性を調べた。