Abstract
Ein Kupfer‐Einkristall, dessen Ausgangsorientierung in der Nähe der [001]–[011]‐Symmetralen des Orientierungsdreieckes lag, wurde im Zugversuch bei 4,2 °K verformt. Neben dem üblichen Gleitlinienbild zeigten sich auf der Kristalloberbläche Verformungsinhomogenitäten (Striemen), die mit Hilfe des Elektronenmikroskops durchstrahlt wurden. Dabei zeigte sich überraschend, daß während der plastischen Verformung des Einkristalls Großwinkelkorngrenzen entstehen, die ein zum Kristallgitter um etwa 25 bis 32° gedrehtes Gebiet umschließen. Die Bildung dieser Großwinkelkorngrenzen, die im folgenden ausführlich diskutiert wird, stellt einen Modellfall der Rekristallisation dar.