Effet de la température sur la réflectivité du silicium oxydé : détermination expérimentale de la sensibilité relative ; application à la mesure sans contact de la température à la surface d'un thyristor GTO en commutation
- 1 February 1996
- journal article
- Published by EDP Sciences in Journal de Physique III
- Vol. 6 (2) , 279-300
- https://doi.org/10.1051/jp3:1996123
Abstract
L'effet de la température sur la réflectivité absolue R du silicium et du silicium oxydé est étudié expérimentalement dans le domaine spectral 300 nm <λ< 500 nm. Les spectres R(λ) sont relevés pour 25 ○CKeywords
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