Punktfehlstellen in Oxidmischphasen II. Beweglichkeit der Defektelektronen in (CoxMg1‐x) O und (CoxMg1‐x)2 SiO4
- 1 September 1973
- journal article
- Published by Wiley in Berichte der Bunsengesellschaft für physikalische Chemie
- Vol. 77 (9) , 721-726
- https://doi.org/10.1002/bbpc.19730770913
Abstract
Beweglichkeiten von Defektelektronen in den Mischkristallen (CoxMg1‐x)O und (CoxMg1‐x)2 SiO4 als Funktion von Temperatur und Zusammensetzung x wurden aus elektrischen Leitfähigkeitsmessungen unter Benutzung der im Teil I dieser Arbeit gemessenen Defektelektronenkonzentrationen ermittelt. Mit zunehmendem Magnesiumgehalt nimmt die Defektelektronenbeweglichkeit über Größenordnungen ab. Eindeutig kann festgestellt werden, daß in den Mischkristallen ein aktivierter Sprungprozeß der Defektelektronenbeweglichkeit vorliegt. Die Aktivierungsenergie wird stark von den Nachbarschaftskonfigurationen der Kationen beeinflußt und nimmt mit zunehmendem Magnesiumgehalt zu.This publication has 17 references indexed in Scilit:
- The high temperature defect structure of CoOJournal of Physics and Chemistry of Solids, 1972
- A study of semiconduction in dilute magnesio-WüstitesPhilosophical Magazine, 1970
- Small-polaron versus band conduction in some transition-metal oxidesAdvances in Physics, 1970
- Electrical conduction in Li-doped CoOJournal of Physics and Chemistry of Solids, 1969
- Electrical Conductivity in Fe1‐xO‐MgO Solid SolutionsJournal of the American Ceramic Society, 1966
- Diffusion of Co2+ and Ni2+ in Magnesium OxideJournal of the American Ceramic Society, 1962
- Studies of polaron motionAnnals of Physics, 1959
- On electronic current in NiOJournal of Physics and Chemistry of Solids, 1958
- Immiscibility in silicate melts; Part IAmerican Journal of Science, 1927
- The binary system MgO-SiO 2American Journal of Science, 1914