Zur Stoßionisation in Germanium-Einkristallen im Temperaturbereich von 4,2°K bis 10°K

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Abstract
Bei Temperaturen unterhalb 11°K zeigen Ge-Einkristalle schon bei Feldstärken von wenigen V/cm Durchschlagseffekte. Aus der Abnahme der HALL-Konstanten und der Zunahme der Durchschlagfeldstärke mit abnehmender Ladungsträgerbeweglichkeit folgt, daß der starke Stromanstieg auf eine Stoßionisation neutraler Störstellen zurückzuführen ist. Ein transversales Magnetfeld verschiebt die kritische Feldstärke zu höheren Werten. Im Stoßionisationsbereich erreicht die transversale magnetische Widerstandsänderung bei 4,2°K schon bei 250 Gauß die außergewöhnlich großen Werte von 2000%

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