Détermination expérimentale des paramètres des transistors MOS

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Abstract
On propose des méthodes expérimentales propres à déterminer les paramètres des transistors MOS : longueur effective du canal, mobilité des porteurs, potentiel transversal de réduction de mobilité, résistances en série dans la source et le drain. Elles sont basées d'une part sur la mesure des conductances de sortie à faible tension drain-source effectuée sur des transistors MOS de même géométrie mais ayant des longueurs de canal différentes et, d'autre part, sur la comparaison des caractéristiques de transfert courant-tension en régime de non-pincement, en configuration normale et en configuration de source et drain inversés

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