Fonction mémoire acoustique dans les semiconducteurs piézoélectriques. Interprétation acoustoélectrique

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Abstract
Nous présentons une interprétation acoustoélectrique des expériences de mémorisation de signaux acoustiques dans des semiconducteurs piézoélectriques. La fonction mémoire est due à la modification des taux d'occupation des états liés de la bande interdite par un courant continu dans le temps et périodique dans l'espace qui engendre une répartition inhomogène des porteurs libres. Nous développons un modèle simple valable pour un semiconducteur de type N qui fait intervenir essentiellement un niveau piège à électrons, un centre de recombinaison et une thermalisation quasi instantanée des états voisins de la bande de valence. Les conclusions essentielles auxquelles conduit ce modèle sont que les expériences de mémorisation de signaux acoustiques font intervenir 2 constantes de temps dont la plus grande est, sauf exception, proportionnelle à la résistivité de l'échantillon et dont la mesure permet d'atteindre les sections de capture des états liés. On montre quantitativement que les constantes de temps de 10-1 s observées dans le CdS ne sont compatibles qu'avec des sections de capture au plus égales à 10-18 cm2

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