Abstract
Die Verdampfungsvorgänge im Temperaturbereich um 1000°K bei den im Zinkblendegitter kristallisierenden Verbindungen InP, InSb, GaAs, In (Po,56 Aso,44) und ZnSnAs2 wurden massenspektrometrisch untersucht. Es wurde festgestellt, daß diese Verbindungen sich bei der Verdampfung im Vakuum thermisch zersetzen und die Komponenten der V. Gruppe fraktioniert in Form von vier- und zweiatomigen Molekülen verdampfen. Die bei der Verdampfung von In (Po,56 Aso,44) auftretenden Moleküle enthalten dabei sämtliche möglichen Kombinationen zwischen P- und As-Atomen. Irgendwelche Radikale, die Atome der III. und V. Gruppe gleichzeitig enthalten, wurden nicht beobachtet. Aus der Temperaturabhängigkeit der Verdampfungsraten wurden die den einzelnen Verdampfungsprozessen zugeordneten Bildungsenthalpien bestimmt. In diesem Zusammenhang wurde festgestellt, daß die von PAULING angegebene Methode der Berechnung von Bildungsenthalpien mit Hilfe der Elektronegativitäten der Elemente auch bei diesen festen Substanzen zu recht brauchbaren Ergebnissen führt. Von den mit relativ großer Häufigkeit in den Massenspektren aufretenden Ionensorten wurden ferner die Appearance-Potentiale gemessen.

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