Optische und elektrische Messungen an dünnen Thallium(III)‐Oxydschichten

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Abstract
Durch Kathodenzerstäubung wurden dünne polykristalline Tl2O3−Schichten hergestellt. Sie besaßen auf Grund eines stark unterstöchiometrischen Sauerstoffanteils eine hohe Konzentration freier Elektronen (ne ≈︁ 7 × 1020 cm−3). An Schichten mit genügend hoher Elektronenbeweglichkeit (μ = 75 bis 100 cm2/Vs) wurden die optischen Konstanten zwischen 0,2 und 4,5 μm ermittelt. Aus dem Dispersions‐ und Absorptionsverlauf im Ultraroten wurden die effektive Masse im Leitungsband (m* = 0,32 m0) und der Einfluß des Fermi‐Niveaus auf die Absorption durch freie Ladungsträger beim entarteten Halbleiter bestimmt. Aus dem Absorptionsverlauf im sichtbaren und ultravioletten Spektralbereich ergaben sich Bandabstände für direkte (ΔEdirekt = 2,25 eV) und indirekte Übergänge, letztere modifiziert durch den Burstein‐Effekt (ΔEindirekt + ξ ≈︁ 1,4 eV).

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