Étude de certaines propriétés de couches de SiO2 sur support de silicium
- 1 January 1964
- journal article
- Published by EDP Sciences in Journal de Physique
- Vol. 25 (1-2) , 66-69
- https://doi.org/10.1051/jphys:01964002501-206600
Abstract
Des couches de SiO2 sur support de Si ont été produites soit par oxydation theimique dans la vapeur d'eau, soit par dépôt à partir d'acide hydrofluosilicique, soit par oxydation anodique en électrolytes non aqueux. Elles ont été étudiées par ellipsométrie. L'indice de réfraction a été utilisé pour calculer le coefficient de remplissage. On a étudié la cinétique de croissance par oxydation dans la vapeur. L'oxydation anodique dans un sel fondu a donné un film composéKeywords
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- The Oxidation of Silicon in Dry Oxygen, Wet Oxygen, and SteamJournal of the Electrochemical Society, 1963
- Determination of the Properties of Films on Silicon by the Method of EllipsometryJournal of the Optical Society of America, 1962
- Stain films on siliconJournal of Physics and Chemistry of Solids, 1960
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