Méthode d'intégration électronique pour la mesure d'aimantation de supraconducteurs de faible volume et de faible champ critique
- 1 January 1969
- journal article
- Published by EDP Sciences in Revue de Physique Appliquée
- Vol. 4 (1) , 42-44
- https://doi.org/10.1051/rphysap:019690040104200
Abstract
On décrit la réalisation d'un montage de mesure d'aimantation par intégration avec amplification préalable, qui permet d'obtenir, pour des supraconducteurs de faible volume et de faible champ critique, le tracé direct de la courbe d'aimantation, et en particulier les sauts d'aimantation, sur un enregistreur XY rapideKeywords
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