Die Eigenschaften der halbleitenden Verbindungen vom Typus AIIIBV sind gegenüber den isoelektronischen Elementgittern bestimmt durch die Veränderung der Bindungsverhältnisse, die einem Anwachsen des heteropolaren Bindungsanteils entsprechen1. Es wurde bereits versucht, diesen Übergang modellmäßig zu erfassen unter Vernachlässigung der paarweisen Nahzuordnung der Atome, indem ein eindimensionales Gittermodell als Ganzes behandelt wurde2. Aufgabe der vorliegenden Untersuchung ist es, dieser kollektiven Betrachtungsweise eine ergänzende Näherung gegenüberzustellen, die dem Diamantgitter als überwiegend kovalent gebundenem Gittertyp besser angemessen erscheint, indem sie von einer Vernachlässigung der Wechselwirkung zwischen den Paarvalenzen des Gitters ausgeht. Jede Hybridvalenz wird als isoliert von den anderen angesehen und es wird versucht, aus ihren Eigenschaften die des Gitters abzuleiten. Zu diesem Zweck wird eine einzelne Elektronenbrücke aus dem Kristall herausgegriffen und ihr Verhalten studiert, wenn man von rein homöopolarem Bindungstyp zu einem solchen mit heteropolaren Anteilen übergeht. Bereits in den Eigenschaften der Einzelvalenz finden sich ähnliche Veränderungen wie beim Gesamtkristall.