ÉTUDE EXPÉRIMENTALE DE LA RELAXATION DE RÉSEAU DES CENTRES PROFONDS DANS GaAs

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Abstract
Nous avons étudié les transitions électroniques mettant en jeu des centres profonds dans GaAs par trois méthodes : la photocapacité, l'absorption optique et la luminescence infrarouge. Dans les matériaux non dopés, massifs ou épitaxiques, deux centres profonds ont été étudiés : leurs énergies d'ionisation optique à 77 K sont : E1c = 1,15 eV (centre A) et E2c = 1 eV (centre B). Dans les mêmes conditions, les énergies de remplissage par des transitions depuis la bande de valence ont été trouvées égales à 0,39 eV pour A et 0,75 eV pour B, ce qui fait apparaître pour le centre B une importante relaxation de réseau après remplissage. Les courbes de photocapacité ont été comparées aux courbes d'absorption optique, les centres A et B y apparaissent sous la forme de deux bandes d'absorption respectivement centrées sur 1,4 et 1,2 eV. En excitant le GaAs autour de 1,2 eV, nous avons en outre trouvé l'émission associée au centre B autour de 1 eV. Des phénomènes identiques ont été analysés sur le centre associé au chrome dans GaAs. En conclusion, nous donnons pour ces trois centres des schémas énergétiques qui tiennent compte des phénomènes de relaxation de réseau

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