Résistivité à basse température des alliages GeTe-MnTe
- 1 January 1968
- journal article
- Published by EDP Sciences in Journal de Physique
- Vol. 29 (4) , 352-356
- https://doi.org/10.1051/jphys:01968002904035201
Abstract
On a étudié des échantillons monophasés polycristallins d'alliages semiconducteurs magnétiques Ge 1-xMnxTe. On a mesuré leur résistivité et leur constante de Hall, en particulier pour 0,01 < x < 0,10, dans l'intervalle de température 4,2-400 °K. On montre qu'une importante contribution à la résistivité due à la diffusion s-d s'ajoute à la diffusion normale s-s qui suit la loi de Nordheim. La contribution due à la diffusion s-d, qui existe à toute température, est trouvée proportionnelle à x2. Ces résultats sont en accord avec les théories proposées par Mott [15] pour les alliages Ag-PdKeywords
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