Abstract
In einem InAs-Sperrschichtelement werden bei 63°K durch Bestrahlung mit 400 keV-Elektronen FRENKEL-Fehlstellen erzeugt. Ihre Konzentration wird aus Änderungen des Kurzschlußstromes des Sperrschichtelementes ermittelt. Während der nachfolgenden Erwärmung der Probe wird das Ausheilen der durch die Bestrahlung eingebrachten Gitterfehlstellen in einem Temperaturbereich zwischen 77 und 500°K untersucht. Hierbei werden mehrere charakteristische Ausheilstufen beobachtet, besonders bei 85°K, 120°K und 300°K. In der letzten Ausheilstufe bei 300°K verschwinden alle durch die Bestrahlung eingebrachten Gitterfehlstellen. Die Aktivierungsenergie dieses Prozesses wurde zu 0,80 eV bestimmt.

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