α Rh2As : un candidat possible pour la réalisation de structures épitaxiées (composé métallique)/GaAs
Open Access
- 1 January 1987
- journal article
- Published by EDP Sciences in Revue de Physique Appliquée
- Vol. 22 (8) , 845-850
- https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002208084500
Abstract
Dans un bâti d'épitaxie par jets moléculaires Riber 2300, nous avons réalisé des codépôts de Rh et d'As sur des substrats de silicium passivé et de GaAs (100) maintenus à des températures variant de 0°C à 330°C. Nous montrons qu'il est possible de réaliser des couches minces polycristallines de α Rh2As, composé métallique de structure cristalline très proche de celle de GaAs. Ces couches qui ne présentent pas d'orientation préférentielle sur un substrat amorphe, sont fortement texturées sur GaAs ( [100 ] Rh 2As// [100] GaAs). Leur faible résistivité (~ 25 μΩcm) est compatible avec une utilisation en micro-électronique. Lorsque les substrats de GaAs sont maintenus à une température supérieure à 200 °C lors du codépôt, l'interaction directe du Rh avec le substrat conduit à la formation du composé RhAsKeywords
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